130°C烧结银技术相比传统银烧结技术有哪些优势？

130°C烧结银技术相比传统银烧结技术有哪些优势？

130°C烧结银AS9338技术相比传统银烧结技术（通常需180-220°C甚至更高温度）具有以下显著优势，这些优势在新能源汽车、5G通信、AI芯片等高功率场景中尤为突出：

AS9338无压烧结银

一、

传统银烧结需高温（180-220°C）及加压设备（10-80MPa），而130°C烧结银（如善仁新材AS9338）无需加压，普通烘箱即可完成烧结，显著降低设备投入和能耗（约减少30%）。

无需氮气保护，与现有SMT（表面贴装技术）产线完全兼容，减少生产线改造成本。

二、

烧结层导热系数达100-130 W/m·K，是传统焊料（如锡铅焊料约50 W/m·K）的2-3倍，可快速散热，提升高功率芯片（如IGBT、SiC器件）的稳定性和寿命。例如，某新能源车企采用130°C烧结银后，功率模块温升降低18℃，寿命延长至10万小时以上。

烧结层剪切强度达35 MPa（2×4mm²芯片测试），在-55℃至175℃循环测试中无开裂，热膨胀系数（CTE）与硅基芯片匹配度达98%，有效缓解热应力导致的界面失效。

烧结层孔隙率低于5%，形成致密连续的孔隙网络，机械强度与导电性同步优化。

三、

AS9338烧结银采用无铅配方并通过RoHS认证，避免铅污染，符合国际环保标准。

在高温、高振动场景（如新能源汽车动力总成模组）中表现稳定，某车企实测故障率降低30%，续航里程增加50公里。

四、AS9338烧结银

用于牵引逆变器、DC/DC转换器等核心部件，提升能量转换效率（某案例提升8%）。

支持3D堆叠技术，某国产AI加速卡采用后算力密度达50 TOPS/mm³，热阻降低至0.15℃·cm/W。

实现更小封装尺寸，某射频器件厂商封装尺寸缩小40%，良品率提升至99.6%。

五、

130°C烧结银技术相比传统银烧结技术（通常需180-220°C甚至更高温度）具有以下显著优势，这些优势在新能源汽车、5G通信、AI芯片等高功率场景中尤为突出：

1、

传统银烧结需高温（180-220°C）及加压设备（10-80MPa），而130°C烧结银（如善仁新材AS9338）无需加压，普通烘箱即可完成烧结，显著降低设备投入和能耗（约减少30%。

无需氮气保护，与现有SMT（表面贴装技术）产线完全兼容，减少生产线改造成本。

2、

烧结层导热系数达100-130 W/m·K，是传统焊料（如锡铅焊料约50 W/m·K）的2-3倍，可快速散热，提升高功率芯片（如IGBT、SiC器件）的稳定性和寿命。例如，某新能源车企采用130°C烧结银后，功率模块温升降低18℃，寿命延长至10万小时以上。

烧结层剪切强度达35 MPa（2×4mm²芯片测试），在-55℃至175℃循环测试中无开裂，热膨胀系数（CTE）与硅基芯片匹配度达98%，有效缓解热应力导致的界面失效。

烧结层孔隙率低于5%，形成致密连续的孔隙网络，机械强度与导电性同步优化。

3、

采用无铅配方并通过RoHS认证，避免铅污染，符合国际环保标准。

在高温、高振动场景（如新能源汽车动力总成模组）中表现稳定，某车企实测故障率降低30%，续航里程增加50公里。

4、

用于牵引逆变器、DC/DC转换器等核心部件，提升能量转换效率（某案例提升8%）。

支持3D堆叠技术，某国产AI加速卡采用后算力密度达50 TOPS/mm³，热阻降低至0.15℃·cm/W。

实现更小封装尺寸，某射频器件厂商封装尺寸缩小40%，良品率提升至99.6%。

130°C烧结银AS9338技术通过

和

，在性能、成本、环保性上全面超越传统方案，尤其适用于对热敏感、高功率密度的半导体封装场景。其技术突破不仅推动国产高端电子材料替代进口，还为新能源汽车、5G通信等产业提供了国产化解决方案。