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中科幻彩中稿作品

#科研绘图#

ACS Appl. Mater. Interfaces

Volume 13, Issue 37

封面说明了在光激发下二维半导体(MoS2单分子层)中的硫空位缺陷中和。该图捕捉了该过程的一些关键元素:在有机(BP4mPy)/过渡金属氧化物受体(TMO) (MoOx)界面上极化子对的产生，自由电子的扩散，TMO自由基的随后形成，以及空缺位置上的缺陷中和。